Plasmabasierte Kupfermetallisierung von leistungselektronischen Bauelementen

Der Einsatz von Wide-Band-Gap Halbleitern (WBG) ermöglicht den Aufbau hoch effizienter und perfomanter leistungselektronischer Module sowohl in Antrieben moderner Elektrofahrzeuge als auch generativer Konzepte für die Gewinnung erneuerbarer Energien und leistet so einen wichtigen Beitrag für die Energie- und Mobilitätswende. Der Einsatz thermischer plasmabasierter Beschichtungsprozesse ermöglicht eine Erweiterung konventioneller Prozesse der Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik um ein hochflexibles und leistungsfähiges Verfahren um WBG-Bauelemente verlässlich zu kontaktieren und deren Potentiale hinsichtlich Stromdichte, Schaltfrequenz und Betriebstemperatur zu nutzen. Die vorliegende Dissertation befasst sich mit der Qualifizierung eine thermischen plasmabasierten Beschichtungsprozesses für den Aufbau kupferbasierter Funktionsflächen auf Substratmaterialien der Leistungselektronik und deren Eignung für folgende Prozesse. Fokussiert wird hierbei vor allem der Einsatz als Funktionsfläche für die oberseitige Anbindung von Leistungshalbleitern mittels Kupferdickdrahtbonds.